Lecture Summary
Biography
宽禁带氧化物半导体载流子调控与应用
刘益春
东北师范大学
设计构建了非晶氧化物缺氧/富氧同质“动态界面”,通过界面内建电场调控氧离子定向扩散,实现了具有“记忆”和“遗忘”功能的忆阻器。进一步,构建了非晶氧化物-金属“肖特基界面”,通过多亚稳态氧离子和界面内-外电场的协同作用,在独立单元器件上实现了对人类高级认知规律“BCM理论”的完整模拟,研制出忆阻型类脑仿生视觉系统。利用金属等离激元不受温度影响的特性,设计构建了氧化物-金属纳尺度“肖特基界面”。通过相干光诱导金属等离激元离化,其光生电子在界面电场驱动下向氧化物转移,完成了对等离激元光谱的调制和信息写入,实现了室温全息光谱烧孔,研制出高密度全息光盘。
宽禁带氧化物半导体载流子调控与应用
刘益春
东北师范大学,
刘益春,东北师范大学教授,中国科学院院士。长期从事氧化物半导体光电功能材料与器件研究,近年来在氧化物半导体载流子调控与应用方面开展了系统研究工作,在类脑忆阻器、高密度全息光存储、特种光电功能材料研究方面取得多项成果。先后主持完成国家、部(省)级科研项目20余项,作为第一完成人获国家自然科学奖二等奖2项、省部级一等奖3项、国家教学成果一等奖1项;国际发光会议程委会委员(2020大会主席)、国际II-VI族化合物材料会议顾委会委员、WILEY国际学术期刊《InfoMat》副主编。